参数	值
产品	未分类
型号编码	CMLDM8120 TR
说明	未分类   SOT-563 SOT-563,SOT-666
品牌	Central(中央半导体)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6345 [库存更新时间：2026-01-20]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	860mA(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	3.56nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	200pF @ 16V
功率	150mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	150 毫欧 @ 950mA,4.5V
工作温度	-65°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-563
封装/外壳	SOT-563,SOT-666